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新款PS5购买意向调查：近八成玩家表示不会购买
本月早些时间，索尼正式公布了新版PS5轻薄机型，搭载1TB储存空间，美区数字版售价450美元，光驱版售价500美元。近日，外媒Pushsquare发布投票调查玩家们对于这款新机型的购买意向如何...
游戏资讯 2023-10-19 15:16:13 -
S13瑞士轮：T1险翻车，TL最后崩盘！网友：TL配不上这么好的打野
英雄联盟2023全球总决赛瑞士轮，在10月19日13点正式鸣锣开赛。不同于往届的分组小组赛，本届赛事采用了全新的瑞士轮赛制...
游戏资讯 2023-10-19 14:49:27 -
AYANEOFLIP复古掌机官品图类似NDS双屏设计
前几天AYANEO FLIP复古掌机的渲染图公开，今天官方放出了正式制品图，基本与渲染图保持一致，另外多了一个类似NDS双屏设计版本。 据官方之前的消息，已经确认这款掌机将搭载锐龙7 7840U处理器，Zen4架构，8核16线程，最大睿频5.1GHz，另有AMD Radeon 780M核显。 新的类似NDS双屏双屏设计版本号为AYANEO FLIP DS，直接明示与任天堂DS有关，在原版键盘中间嵌入一块小屏幕，的确与NDS双屏设计很像，具体小屏幕带来何种扩展体验还有待官方公布新消息，敬请期待。 ...
游戏资讯 2023-10-19 14:49:13 -
T1首战翻盘险胜TL！神级盲僧秀麻Faker，Doinb直言T1队员笑不出来
今天10月19号英雄联盟S13正赛终于开打了，本届采用的瑞士轮赛制将更加凸显每支队伍的实力差距，第一战由T1战队对抗北美TL战队。原本TL战队是全韩班阵容，直到夏季赛后期才换上美国本土新人APA...
游戏资讯 2023-10-19 14:22:09 -
LOL-S13：TL一波团战失误输掉比赛，T1首秀翻盘战胜TL
北京时间10月19日，英雄联盟S13全球总决赛瑞士轮第一日比赛。来自LCK赛区的T1对阵LCS赛区的TL...
游戏资讯 2023-10-19 14:08:32 -
口碑解禁三天：《蜘蛛侠2》在M站仍为100%好评作品
根据M站的详情页信息显示，《漫威蜘蛛侠2》媒体口碑自10月19日解禁以来，共收录122条媒体测评均为正面的积极评价，没有任何中评或差评。据观察，除了当前122家已经定分的媒体，仍有几家媒体评分暂未公布，完整测评将在日后公开...
游戏资讯 2023-10-19 13:21:05 -
暴雪着急上线10.2铺路，魔兽国服最快明年1月回归，月卡大涨价？
10.2或许是魔兽史上最仓促上线的一个版本了，而这一切都意味着国服即将回归。最近，暴雪官方出人意料地将魔兽正式服10...
游戏资讯 2023-10-19 12:07:30 -
网友分享《蜘蛛侠2》豪华版雕像：19英寸、比PS5高
《漫威蜘蛛侠2》将于10月20日正式发售，目前有玩家已经提前收到了游戏的豪华版，包括其中的大型雕像。@zeldatsi分享了这款高19英寸的雕像的照片，和PS5机器相比，雕像要更高一些...
游戏资讯 2023-10-19 11:13:00 -
《逃生：试炼》宣布大型内容更新10月26日上线
开发商Red Barrels宣布合作恐怖游戏《逃生：试炼》即将迎来重大内容更新，预计10月26日正式上线。本次更新重点是引入了名为“Program 4: Courthouse”的新试炼，并带来新每周计划、更多挑战以及新限时万圣节活动等内容...
游戏资讯 2023-10-19 11:06:55 -
三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。 ...
智能设备 2023-10-19 10:23:07 -
三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。 ...
智能设备 2023-10-19 10:23:07 -
10秒补充1公里续航，日本开展公共道路电动汽车无线充电系统实验
IT之家 10 月 19 日消息，据 The Register、日本经济新闻等媒体当地时间周二报道，由东京大学、千叶大学、普利司通、三井不动产等 9 家公司组成联合研究小组，于本月初在日本千叶县柏市的“柏之叶智慧新城”开始公共道路电动汽车无线充电设施的系统实验。▲ 图源东京大学据介绍，该项目在交通信号灯前面等“关键位置”将输电线圈嵌入路面，因为这些位置的车辆大多会缓慢行驶，以方便充电。该设施预计可在 10 秒钟内为一辆普通电动汽车补充约 1 公里的续航。为避免浪费能源，输电线圈并非始终处于通电状态，而是安装了感应系统：车辆靠近时才会工作，待机状态下可保持最低功率。据东京大学大学院新领域创成科学研究科官网介绍，该项目有三个要点：实现可用于各种车辆的在途供电系统、实现标准化的在途供电系统、开发既能安全使用、又能传输电力且具备高耐久性的路面线圈。这项测试预计将持续到 2025 年 3 月，测试内容包括设备的安全性、耐久性等方面。若测试结果成功且符合预期，当地目标是计划 2030 年左右运营配备路面无线充电系统的自动驾驶巴士。IT之家此前报道，国内外已陆续出现各种类似的研究、实验。例如中国一汽研发总院创新基地在 7 月 18 日发布了一种基于“5G + 自动驾驶”的高功率动态无线充电道路系统，这条无线充电道路长 120 米，新能源电动汽车在上面行驶过后可以补充 1.3 公里续航的电能。▲ 图源央视新闻Stellantis 也在今年上半年展示了动态无线电力传输技术的能力，当电动汽车在专用车道上行驶时，会对其进行无线充电。 ...
智能设备 2023-10-19 10:09:34
