台积电（TSMC）昨天在中国台湾台南科学园区举办3nm量产暨扩厂典礼，正式宣布启动3nm工艺的大规模生产，并于明年上半年为台积电的营收做贡献。这次活动所在园区的Fab18是5nm和3nm芯片的生产基地，其中5至9期厂房负责生产3nm芯片
台积电（TSMC）昨天在中国台湾台南科学园区举办3nm量产暨扩厂典礼，正式宣布启动3nm工艺的大规模生产，并于明年上半年为台积电的营收做贡献。这次活动所在园区的Fab18是5nm和3nm芯片的生产基地，其中5至9期厂房负责生产3nm芯片。
台积电董事长刘德音出席了活动，表示3nm工艺的良品率没有任何问题，与5nm工艺相当，预计在五年内创造1.5万亿美元产品。如果将N3和N5初期工艺做比较，前者预计会带来10%到15%的性能提升（相同功耗和复杂程度），或者降低25%-30%的功耗（相同频率和晶体管数量），同时会将逻辑密度提高约60%。
刘德音还分享了台积电2nm工艺计划，相关设施将在新竹和台中科学园区建造，分六个阶段，目前都在按计划进行。此前有报道称台积电2nm工厂的征地延迟，可能会影响2nm工艺的量产时间，不过从刘德音的发言来看，似乎情况仍在台积电掌握之中。
根据之前的消息，台积电会在2024年拿到High-NA EUV光刻机，初期仅用于研发和协作，期间会按照自己的要求进行调整，适当时候再用于大规模生产。与3nm制程节点不同，2nm制程节点将使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管。预计N2工艺于2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，客户在2026年就能收到首批芯片。
标签: 台积 预估 3nm 产能 价值 年内 创造 1.5万 亿美元
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