站搜网7月21日消息 据台湾媒体《电子时报》本周四报道，中国大陆地的区长江存储、晋华公司和Innotron三家公司的存储芯片工厂预计将明年竣工并投入量产。站搜网报道，长江存储此前透露，已获得首批超过10000套32层3D NAND闪存芯片的商业生产订单，将用于8GB SD存储卡上
站搜网7月21日消息 据台湾媒体《电子时报》本周四报道，中国大陆地的区长江存储、晋华公司和Innotron三家公司的存储芯片工厂预计将明年竣工并投入量产。
站搜网报道，长江存储此前透露，已获得首批超过10000套32层3D NAND闪存芯片的商业生产订单，将用于8GB SD存储卡上。不过，业内人士的消息称，长江存储的32层NAND芯片的月产量仅为5000片晶圆，较为有限。
消息人士还称，长江存储目前主要是将研发资源投入到64层3D NAND闪存中，并计划在今年年底出样。
晋华方面则表示，此前与联华电子（UMC）联合开发的第一代DRAM生产技术预计于今年年底投入生产。业内人士透露，Innotron最近已进入8Gb LPDDR4芯片的试生产阶段，不过该公司尚未确认是否已经开始生产。Innotron此前公布了其生产的19nm 8Gb DDR4产品，预计年底亮相，明年即可量产。
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