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三星GalaxyS24Ultra曝光，可能会是这几年最漂亮的手机
最新消息称，三星目前已经开始量产 Galaxy S24 系列手机，预计将于明年 1 月中下旬发布。这次还是提供三款机型，即标准版、Plus 和 Ultra，且仍旧是一小两大的配置...
手机互联 2023-10-29 23:48:02 -
三星的GalaxyS24系列将投入生产2024年1月发布
三星的Galaxy S24系列，包括标准的Galaxy S24，S24+和S24 Ultra，据传即将投入生产，预计2024年1月发布。这些细节来自不同的消息来源，包括@i冰宇宙，这表明旗舰智能手机已经进入大规模生产...
手机互联 2023-10-29 23:47:31 -
GalaxyS24系列手机有望率先搭载，三星已做好卫星通讯技术准备
IT之家 10 月 28 日消息，三星 System LSI 部门首席执行官 Park Yong-in 近日确认，将从明年开始，支持用于紧急联系的卫星服务，暗示明年推出的 Galaxy S24 系列手机支持双向卫星通信。三星几个月前透露，公司已经开发出一种为智能手机实现双向卫星连接的方法，可能会应用在 Galaxy S24 机型上...
手机互联 2023-10-29 23:47:25 -
长三角实现区块链电子医疗票据互联互通，跨省保险理赔更方便了
借助电子医疗票据上链，长三角跨省看病的保险理赔将更为方便。第一财经记者从“浙江财政”公众号信息了解到，继今年6月底上海、浙江、江苏和安徽三省一市实现财政电子票据互联互通后，目前区块链电子医疗票据也已互联互通，而商业保险理赔作为其首个社会化应用场景近日正式落地...
区块链 2023-10-29 23:47:09 -
三星预告GalaxyS24Ultra相机新特性：增强2亿像素主摄能力
IT之家 10 月 28 日消息，三星公司近日发布新闻稿，展示了适用于 2 亿像素 ISOCELL 传感器的 Zoom Anyplace 和 E2E AI Remosaic 解决方案，预估将会装备在明年 1 月发布的 Galaxy S24 Ultra 手机上。Zoom Anyplace：包括三星在内的大部分手机在拍摄移动中的物体时，往往会出现主体模糊的情况，三星希望通过 Zoom Anyplace 技术可以缓解这一点...
手机互联 2023-10-29 23:46:48 -
三星推出HBM3E“Shinebolt”：面向下一代人工智能应用
近日，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，展示了一系列引领超大规模人工智能（AI）时代的创新技术和产品，包括HBM3E“Shinebolt”、LPDDR5X CAMM2和可拆卸的AutoSSD，以加速包括云端、边缘设备和汽车未来应用的技术进步。三星宣布，推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM，面向下一代人工智能应用，提高总拥有成本（TCO），并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度...
智能设备 2023-10-24 08:23:22 -
电子诈骗重出江湖！“瑞克摇”亮相《蜘蛛侠2》
《漫威蜘蛛侠2》已经于昨日正式发售，而刚刚开始进入游戏主线的玩家们遭受了闷头一棍——“瑞克摇”卷土重来。所谓“瑞克摇”一般来讲是在毫无征兆的场合下播放理查德·艾斯利于1987年创作的歌曲《Never Gonna Give You Up》的恶作剧行为，随后演变为一种网络迷因...
游戏资讯 2023-10-21 16:22:05 -
三星正在积极推进第五代HBM3e：传输速度比海力士更快，高达1.228TB/s
近期，由于人工智能（AI）需求激增，市场需要性能更强大的解决方案，英伟达已经决定将下一代Blackwell架构GB100 GPU的发布时间从2024年第四季度提前到2024年第二季度末。同时英伟达已经与SK海力士达成协议，选择在新一代B100计算卡上采用后者面向人工智能的超高性能DRAM新产品HBM3E。据BusinessKorea消息称，同样作为存储大厂的三星也加快了第五代HBM3e“Shinebolt”的开发与销售进度，预计将紧随SK海力士之后。经初步测试，“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速度为1...
智能设备 2023-10-19 10:30:00 -
三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。 ...
智能设备 2023-10-19 10:23:07 -
三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。 ...
智能设备 2023-10-19 10:23:07 -
《极限竞速：地平线5》三星杯秋季赛总决赛落下帷幕！
经过两个月一轮又一轮激烈的比赛后，三星杯秋季赛落下大幕，借此也让我们回顾一下通往冠军之路。个人赛：A组：BertBruce/Ab promax/lphanhan 晋级决赛B组：H4RDY4201/BooXz2/MIKU NANOHA 晋级决赛个人赛决赛赛况冠军-TachibaneRuls亚军-H4RDY4201季军-dddowo殿军-lphanhan团队赛：凉凉·欧砂玛/呱呱 竞技决赛团队赛冠军：凉凉·欧砂玛恭喜TachibaneRuls以及凉凉·欧砂玛分别获得了2023《极限竞速：地平线5》三星杯2023秋季赛总决赛个人赛、团队赛冠军！也十分感谢其他选手的积极参与，总计4万元豪华奖金，以及三星游戏电视Z9，Xbox XSS主机等超值实体周边奖品将会陆续发放！也欢迎各位车友们前往直播间重温赛事，回味荡气回肠的竞速盛宴！期待大家在下一次赛事继续精彩的强强对决！ ...
游戏资讯 2023-10-19 03:36:01 -
三星S24系列首发！三星Exynos2400芯片跑分曝光
【手机中国新闻】此前有消息称，三星将在未来推出新一代自研旗舰芯片Exynos 2400，而在近期跑分平台GeekBench上已经出现了这枚芯片的成绩，一起来看看这款全新的旗舰芯片表现如何。具体来看，在GeekBench 6标准中，三星Exynos 2400获得了单核心2067分，多核心6520分的成绩，而搭载第二代骁龙8的三星S23 Ultra在相同的测试环境下获得了单核心1979分、多核心5148分的成绩。由此来看，全新的Exynos 2400在单核心层面大约拥有5%的提升，在多核心层面则提升了22%。据了解，三星Exynos 2400采用10核心设计，其中超大核或为Cortex-X4，它的频率最高可达3.21GHz，芯片还拥有两枚2...
手机互联 2023-10-19 02:55:00
